Новосибирский Институт физики полупроводников закупит новое оборудование на средства гранта Минобрнауки России
ОБОРУДОВАНИЕ НА СРЕДСТВА ГРАНТА МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Размер субсидии из федерального бюджета, выделенной Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН на обновление приборной базы в этом году — 113,5 млн рублей. ИФП СО РАН рассчитывает приобрести несколько единиц высокотехнологичного оборудования, самой масштабной закупкой будет установка для производства жидкого азота вместе с системой автоматической подачи. Также Институт запланировал покупку атомно-силового микроскопа, сканирующего электронного микроскопа, 3D профилометра — конфокального микроскопа для высокоточного измерения профиля поверхности, шероховатости поверхности и пленок, трехканальной системы СДОМ 3/100-2М предназначенной для термической обработки полупроводниковых пластин.
«Мы надеемся, что установка для производства жидкого азота позволит покрыть все потребности Института в этом веществе. Жидкий азот используется при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Например, в термостатированном корпусе ИФП СО РАН функционируют три установки МЛЭ и чтобы обеспечить их одновременную работу, нужна автоматическая система подачи сжиженного газа. Такую систему мы тоже планируем купить на средства гранта», — пояснил заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Александр Германович Милёхин.
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет выращивать полупроводниковые структуры, контролируя их состав на уровне отдельных атомов — это один из лучших способов создания новых полупроводниковых материалов. Жидкий азот используется на всем протяжении технологического цикла.
«Еще мы рассчитываем приобрести 3D профилометр — конфокальный микроскоп для высокоточного измерения поверхности и шероховатости пленок и структур. Он будет использоваться в новой молодежной лаборатории физико-технологических основ создания фотоприёмных устройств на основе полупроводников A3B5. Кроме того, лаборатории нужна установка для резки (скрайбирования) полупроводниковых пластин, благодаря гранту появилась возможность купить и ее.
Для лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур мы подали заявку на приобретение атомно-силового и сканирующего электронного микроскопов. Эти два прибора дополняют друг друга — первый позволяет точно определять высоту рельефа наноструктуры, а второй — измерять латеральные параметры (длину, ширину, расстояние между отдельными элементами наноструктуры).
Еще одна крупная покупка нужна для обновления кремниевой "линейки" (создания полупроводниковых материалов на основе кремния) — установка термической обработки полупроводниковых пластин при проведении технологических процессов диффузии, окисления и отжига в потоке рабочих газов» , — добавил Александр Милёхин.
Ученый подчеркнул, что 50% закупаемого оборудования — российского производства: «Например, атомно-силовой микроскоп полностью сделан компанией NT MDT Spectrum Instruments — это флагман отечественного научного приборостроения, одна из самых успешных наукоемких компаний в России».
Субсидии на приобретение оборудования предоставляются организациям, выполняющим научные исследования и разработки, в рамках федерального проекта «Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров» национального проекта «Наука и университеты». В этом году таких организаций (получателей грантов) — 198.
Пресс-служба ИФП СО РАН